ورود به حساب ثبت نام جدید فراموشی کلمه عبور
برای ورود به حساب کاربری خود، نام کاربری و کلمه عبورتان را در زیر وارد کرده و روی «ورود به سایت» کلیک کنید.





اگر فرم ثبت نام برای شما نمایش داده نمی‌شود، اینجا را کلیک کنید.









اگر فرم بازیابی کلمه عبور برای شما نمایش داده نمی‌شود، اینجا را کلیک کنید.





نمایش نتایج: از 1 به 4 از 4
  1. #1
    تاریخ عضویت
    2011/10/12
    محل سکونت
    اهواز
    نوشته ها
    3,717
    امتیازها
    121,230
    سطح
    100
    18,287
    مدير بازنشسته

    سه بعدی شدن اینتل

    اینتل اعلام کرد که در نسل بعدی پردازنده های خود از ترانزیستور هایی برای پردازش های سه بعدی استفاده خواهد کرد.



    طبق اعلام اینتل با استفاده از این فناوری در پردازنده های نسل جدید، مصرف انرژی در آنها پایین تر آمده و تا 37 درصد بازده کارآیی بالاتر می رود. هرچند که هنوز قیمت این پردازنده و تنوع مدلی آن مشخص نشده است، اما انتظار می رود با شروع سال 2012 این پردازنده ها نیز به بازار راه پیدا کنند. ظاهرا قرار است این پردازنده ها با نام کد «آی وی بریج» توزیع شوند که از ویژگی های بارز آنها می توان به استفاده از فناوری ساخت 22 نانومتری در تولید اشاره کرد. اینتل در معرفی این فناوری از نام Tri-Gate 3D Transistors استفاده می کند که علت آن نیز تغییراتی در طراحی این ترانزیستور نسبت به ترانزیستور های معمولی است که از اساسی ترین تغییرات آن می توان به جایگزین شدن یک گیت سه بعدی با گیت معمولی ترانزیستورها و بلندتر شدن یک لبه عمودی از پایه سیلیکون اشاره کرد.
  2. #2
    تاریخ عضویت
    2011/10/12
    محل سکونت
    زمین خدا
    نوشته ها
    2,166
    امتیازها
    93,367
    سطح
    100
    10,392
    کاربر حرفه ای کامپیوتر
    این پیشرفت ها خیلی خوبه ولی ای کاش اینتل اینقدر سوکت مختلف نداشت تا کسانیکه خیلی توی بحث های مربوط به سخت افزار مهارت ندارند گیج نمی شدن.
    من که امیدوارم یک روز سوکت ها یکی بشه.
  3. #3
    تاریخ عضویت
    2011/10/12
    محل سکونت
    تهران
    نوشته ها
    59
    امتیازها
    1,773
    سطح
    24
    160
    کاربر انجمن
    یکم توضیح بیشتر:

    قانونی به نام قانون مور (Moore's Law) وجود داره که بیان می کنه در صنعت کامیوتر هر دوسال تعداد ترانزیستورهایی که می شه روی یک پردازنده قرار داد دو برابر میشه.
    نمودار زیر از Wikipedia هست:



    برای اینکه سازنده ها بتونن طبق این قانون جلو برن، همیشه در حال پیشرفت تکنولوژی ساختشون هستن و الان به تکنولوژی 22nm نزدیک شدن.
    اما برای رسیدن به این تعداد نیاز به نوآوری هایی هم هست. و اینتل در تکنولوژی Tri-Gate 3D transistors عملا ساختار ترانزیستورهاش رو تغییر داده و از ساختار سه بعدی استفاده کرده.

    این ساختار یک ترانزیستور عادی هست:



    جریان در این ترانزیستورها از Source به Drain حرکت می کنه. کار ترانزیستور کنترل این جریان هست. در بعضی مواقع باید اجازه عبور جریان رو بده و در بعضی مواقع باید جلوی عبور اون رو بگیره. (on یا off بشه.)

    این هم نمای از کنار ترانزیستور عادی هست:



    همونطور که می بینین جریان روی یک صفحه (آبی رنگ) حرکت می کنه.

    و اما این عکسی از ترانزیستورهای سه بعدی اینتل هست:



    و این هم نمای کناری:



    همونطور که می بینین محل عبور جریان روی سه سطح (یک دندونه برآمده از سطح) انجام می گیره.
    این سه بعدی شدن چند تا مزیت ایجاد می کنه:

    1- کنترل بهتر روی عبور جریان
    2- بازدهی بهتر و مصرف کمتر
    3- در مساحت یکسان میشه تعداد بیشتری ترانزیستور جا داد.
    4- عملکرد سریعتر ترانزیستور (تاخیر کمتر)

    این هم عکسی از این نوع ترانزیستور ها در زیر میکروسکوپ:



    دیدن این ویدئو هم در این زمینه جالب هست. ویدئو از خود اینتل برای توضیح همین تکنولوژی هست که با خلاقیت خوبی ساخته شده!

    ترجمه و خلاصه سازی از Alexilver
    منابع:
    1. Intel.com
    2.Anandtech.com
    3. http://wattsupwiththat.com
  4. #4
    تاریخ عضویت
    2011/10/12
    محل سکونت
    اهواز
    نوشته ها
    3,717
    امتیازها
    121,230
    سطح
    100
    18,287
    مدير بازنشسته
    Alexilver خیلی خوبه که شما به روش های علمی بررسی می کنی ! ممنون .
    instagram: saeid_mozafare6839
نمایش نتایج: از 1 به 4 از 4

اطلاعات موضوع

کاربرانی که در حال مشاهده این موضوع هستند

در حال حاضر 1 کاربر در حال مشاهده این موضوع است. (0 کاربران و 1 مهمان ها)

کلمات کلیدی این موضوع

مجوز های ارسال و ویرایش

  • شما نمیتوانید موضوع جدیدی ارسال کنید
  • شما امکان ارسال پاسخ را ندارید
  • شما نمیتوانید فایل پیوست کنید.
  • شما نمیتوانید پست های خود را ویرایش کنید
  •