Arsn
2011/11/22, 21:19
1515
اینتل از پنج سال پیش برای انتشار پردازنده‌ها از برنامه زمان‌بندی مشخصی پیروی می‌کند که به فناوری ساخت و معماری این محصولات وابسته است. اینتل این برنامه را با تیک‌تاک ساعت معرفی کرده است و بر اساس آن زمانی که به یک فناوری‌ساخت جدید دست پیدا می‌کند آن را با تیک نشان می‌دهد و زمانی که معماری پردازنده‌ها را در این فناوری ساخت ارتقا می‌دهد از عبارت تاک استفاده می‌کند. به عنوان مثال در فناوری ۴۵ نانومتری، مرحله تیک با ورود پردازندههای پنرین (Penryn) همراه بود و پس از آن نیز مرحله تاک با عرضه معماری نیهالم انجام شد. این فرآیند در فناوری ساخت ۳۲ نانومتر نیز ادامه پیدا کرد و در تیک اینتل، پردازندههای نیهالم با فناوری ساخت ۳۲ نانومتری تولید شدند که وست‌مر (Westmere) نام داشتند و در مرحله بعدی نیز نوبت به معماری سندی‌بریج رسید که بر اساس همان فناوری‌ساخت وارد بازار شد. حالا اینتل دوباره مرحله تیک را آغاز کرده است و در این مرحله توانسته از تکنولوژی ۲۲ نانومتر برای تولید دوباره معماری سندی‌بریج استفاده کند که پیش از این با تکنولوژی ۲۲ نانومتری تولید می‌شد. این نسل جدید با نام ایوی‌بریج (Ivy Bridge) معرفی شده است و مانند گذشته، شامل محصولاتی برای رده دسکتاپ و لپ‌تاپ‌هاست. ضمن اینکه کاهش فناوری‌ساخت این امکان را فراهم می‌کند که میزان مصرف انرژی و حرارت تولیدی کاهش پیدا کند و در مقابل بتوان محصولاتی کوچک‌تر و سبک‌تر تولید کرد.مهم‌ترین تغییر در پردازنده‌هایی که با نام ایوی‌بریج تولید خواهند شد به ترانزیستورهای این محصولات مربوط می‌شود. درون پردازنده‌ها صدها میلیون ترانزیستور وجود دارد و این قطعات بسیار کوچک هستند که عملیات پردازش را انجام می‌دهند. اندازه این ترانزیستورها به قدری کوچک است که برای مشاهده آنها از میکروسکوپ‌های الکترونی استفاده می‌شود و نمی‌توان آنها را با آنچه در بوردهای الکترونیکی می‌بینیم مقایسه کنیم. این ترانزیستورها به وسیله لایه‌هایی از سیلیکون و فلزهای رسانا تولید می‌شوند و از نظر ابعاد می‌توان آنها را با سلول‌های خونی مقایسه کرد.قانون موریکی از بنیانگذاران شرکت اینتل سال‌ها پیش تئوری مور را معرفی کرد که بر اساس آن تعداد ترانزیستورهایی که درون یک تراشه قرار می‌گیرد هر دو سال یک بار، دوبرابر می‌شود. گوردون مور (Gordon E. Moore) ا۴۶سال پیش این تئوری را پیشنهاد داد که بعدها با عملکرد صنایع سخت‌افزاری و با تایید موسسه تحقیقات فناوری کالیفرنیا به عنوان یک قانون پذیرفته شد. او در این تئوری به شیوه طراحی مدارها اشاره کرده است که حدودا هر دو سال یک بار با ابداع شیوه‌های جدید می‌توانند از طریق روش‌های اقتصادی، تعداد ترانزیستورهای قرارگرفته در یک مساحت ثابت را به دوبرابر افزایش دهند. این تئوری به مدت نیم قرن در تولید تراشه‌ها مشاهده شد، با این حال اعلام شده است قانون مور تا چند سال آینده ادامه خواهد داشت و پس از آن مسیر فناوری به شکلی دیگر تغییر خواهد کرد. مور در این قانون به توان پردازش یا جزییاتی همچون شدت جریان‌های الکترونیکی نپرداخته اما در سمیناری که تحت عنوان چشم‌انداز فناوری‌های نیمه‌هادی مدتی پیش برگزار شد این قانون تا سال ۲۰۱۳ دوام خواهد داشت و پس از آن مدت‌زمان لازم برای دوبرابر شدن ترانزیستورها به سه سال می‌رسد.
1516
این قانون شاید فقط یک نظریه ساده در مورد پیشرفت فناوری‌های الکترونیکی باشد اما اهمیت قانون مور در این است که توان بسیاری از تجهیزات دیجیتال را مشخص می‌کند. برای درک بهتر قانون مور می‌توان گفت ترانزیستورها بخش عظیمی از زندگی دیجیتالی ما را تشکیل می‌دهند. به عنوان مثال توان پردازش، ظرفیت حافظه و حتی تعداد پیکسل‌هایی که در گیرنده‌های نوری دوربین‌ها قابل تشخیص است به عملکرد ترانزیستورها ارتباط دارد و این موضوع تنها یک سوی قانون مور را نشان می‌دهد. در سمت دیگر صنایع تولیدکننده قرار دارند که برای پیشرفت در دنیای مدرن، قانون مور را به عنوان یک اصل کلی در طراحی تولیدات خود در نظر می‌گیرند و زمانی که به تولید یک فناوری جدید می‌پردازند، این قانون را برای تضمین موفقیت خود الگو قرار می‌دهند. گوردون مور در مقاله‌ای که در سال ۱۹۶۵ منتشر کرد به صراحت روی این موضوع تاکید دارد که افزایش ترانزیستورها باید توجیه اقتصادی برای تولید انبوه داشته باشد، در نتیجه روش‌های آزمایشگاهی و ابداعاتی که به صورت تئوری در این زمینه انجام می‌شوند تا زمانی که هزینه تولید یک ترانزیستور را به حداقل مقدار ممکن کاهش ندهند شامل قانون مور نخواهند شد. با این تفسیر می‌توان این گزینه را هم عنوان کرد که دستاوردهای بشری در زمینه پردازش دیجیتال فراتر از سطح محصولات امروزی است اما این نوآوری‌ها تا زمانی که نتوانند جریان بازار را با خود همگام کنند شانسی برای موفقیت نخواهند داشت.
جالب است بدانید بعد از انتشار نظریه مور، تئوری‌های دیگری نیز در این زمینه منتشر شد که نظریه مارک کرایدر در زمینه ظرفیت هارددیسک‌ها و نظریه جرالد باتر برای شبکه‌های نوری از همین موارد است. کرایدر عنوان می‌کند ظرفیت هارددیسک‌ها هر سال دوبرابر می‌شود و نظریه باتر نیز به دوبرابر شدن سرعت انتقال داده‌ها در فیبر نوری در فاصله زمانی ۹ ماه اشاره می‌کند. علاوه بر این بری‌هندی از شرکت کداک نیز نظریه مشابهی در مورد تناسب قیمت یک پیکسل با دلار دارد که علاوه بر دوربین‌ها شامل نمایشگرها نیز می‌شود.
فناوری‌ساخت ۲۲ نانومتر
تراشههای نیمه‌رسانا یا نیمه‌هادی که در قلب تمام تجهیزات دیجیتالی قرار دارند از طریق صفحه‌های سیلیکونی تولید می‌شوند که به آنها ویفر گفته می‌شود. ویفرها شکل دایره‌ای دارند و تراشه‌ها به صورت به هم پیوسته روی این ویفرها قرار گرفته‌اند. قطر هر ویفر حدود ۳۰ سانتی‌متر است و با توجه به اندازه هر تراشه می‌توان گفت روی یک ویفر ممکن است صدها تا هزاران تراشه قرار داشته باشند که بعدا از یکدیگر جدا شده و هر کدام درون وسیله مورد نظر استفاده خواهند شد. اندازه ویفرهای سیلیکونی ثابت است ولی برای تولید یک تراشه فناوری‌های مختلفی برای ساخت استفاده می‌شوند. پردازندههای سندی‌بریج از فناوری ساخت ۳۲ نانومتری استفاده می‌کردند و کوچک‌ترین بخش روی هر تراشه در هر ویفر ۳۲ نانومتر اندازه دارد. اگر بتوان این واحدها را در ابعادی کوچک‌تر با همان کارایی تولید کرد به این معنی است که روی یک ویفر تعداد تراشههای بیشتری قرار می‌گیرد. ضمن اینکه کاهش فاصله بین این واحدها، در کاهش مصرف توان و حرارت نیز موثر خواهد بود با این حال توانایی تولید در این ابعاد مهم‌ترین محدودیت پیش روی تولیدکننده‌های تراشه است. اینتل اکنون به فناوری ساخت ۲۲ نانومتر دست پیدا کرده و تراشه‌هایی که در پردازندههای ایوی‌بریج استفاده می‌شوند از این فناوری استفاده خواهند کرد. این موضوع تحت تاثیر قانون مور انجام گرفته است و به این ترتیب اگر ترانزیستورها را کوچک‌ترین واحدهای عملیاتی در تراشه بدانیم می‌توان گفت نسبت به دو سال پیش تعداد ترانزیستورهای موجود در یک تراشه تقریبا دوبرابر شده‌اند زیرا علاوه بر اینکه اندازه کوچک‌تری دارند، فاصله بین آنها نیز کمتر می‌شود و دارای سه مدخل برای عبور جریان هستند. جالب است بدانید در پردازندههای سندی‌بریج یا در پردازندههای لانو که توسط AMD تولید می‌شوند میلیاردها ترانزیستور به کار رفته است و این در حالی است که توان پردازش تراشه ۴۰۴۰ اینتل در سال ۱۹۷۱ چهار هزار برابر کمتر از پردازندههای ایوی‌بریج بوده است و پنج هزار برابر انرژی بیشتری مصرف می‌کرده‌اند.
در سال ۲۰۰۷ زمانی که اینتل فناوری ساخت تراشههای خود را به ۴۵ نانومتر کاهش داد اکسیدهای سیلیکونی دیگر کارایی نداشتند و این شرکت از برخی عایق‌های ضخیم‌تر که شارژ بهتری را نگه می‌داشتند، استفاده کرد. اینتل نام این فناوری را high-k/metal-gate گذاشت و در آن از مواد جدیدی مانند هافنیوم استفاده کرد که عنصر ۷۲ جدول تناوبی است و در رده فلزات واسطه قرار می‌گیرد.
ایوی‌بریج
معماری ایوی‌بریج، نسل آینده پردازندههای اینتل را تشکیل می‌دهد که از فناوری ۲۲ نانومتری در آنها استفاده شده است و مجهز به ترانزیستورهای سه‌بعدی هستند. نخستین نمونه از این پردازنده‌ها برای تجهیزات موبایل تولید خواهد شد و اولترابوک‌ها اولین میزان ایوی‌بریج هستند. پردازندههای دسکتاپ در مرحله بعد قرار دارند که احتمالا معرفی آنها به اواخر فصل بهار موکول خواهد شد. در نگاهی کلی به ساختار این پردازنده‌ها شباهت زیادی با مدل‌های سندی‌بریج دیده می‌شود و اگرچه فناوری‌ساخت تفاوت کرده است اما معماری کلی این تراشه‌ها مانند نسل قبلی است. در این مدل‌ها یک هسته گرافیکی نیز روی سطح پردازنده قرار دارد که آن هم با فناوری ۲۲ نانومتری تولید می‌شود اما اولین عامل که تفاوت بین ایوی‌بریج و سندی‌بریج را آشکار می‌کند در تعداد ترانزیستورها مشاهده می‌شود. پردازندههای سری جدید دارای ۱.۴ میلیارد ترانزیستور هستند و این در حالی است که در پردازندههای ۳۲ نانومتری سندی‌بریج ۱.۱۶ میلیارد ترانزیستور به کار رفته بود. بنابراین ۲۰.۷ درصد افزایش در این قسمت مشاهده می‌شود و در مقابل اگر همان تعداد ترانزیستور سندی‌بریج به جای فناوری ۳۲ نانومتر با روش ۲۲ نانومتری تولید شوند حدود ۴۷.۳ درصد سایز اولیه وسعت خواهند داشت. نتیجه اینکه با وجود افزایش ۲۰ درصدی در تعداد ترانزیستورها، سطح تراشه باز هم کوچک‌تر خواهد شد
1517
بخش حافظه درونی پردازندههای ایوی‌بریج تفاوت زیادی با مدل‌های سندی‌بریج ندارد و همان ساختار در این سری نیز دیده می‌شود. لایه سوم کش که بین هسته‌ها، بخش گرافیکی و کنترلر حافظه مشترک است و حجم آن نیز در همان سطح هشت مگابایت تعریف شده است. کنترلر حافظه نیز از دیگر قسمت‌های بدون تغییر در ایوی‌بریج است. این بخش از حافظه‌های DDR3 و حافظه DDR3L پشتیبانی می‌کند که با ولتاژ ۱.۳۵ ولت اجرا می‌شوند، حرف L در انتهای نام این رم‌ها نشان‌دهنده عبارت Low Voltage است. با این حال توان اورکلاک در این قسمت افزایش قابل توجهی داشته است. در نسل قبلی میزان فرکانس رم‌ها تا ۲۱۳۳ مگاهرتز قابل افزایش بود که این مقدار در پردازندههای ایوی به ۲۸۰۰ مگاهرتز رسیده است.
1518
در ابتدای مطلب شیوه زمان‌بندی تیک‌تاک اینتل مطرح شد و اینکه تغییر فناوری‌ساخت برای پردازنده‌ها یک تیک محسوب می‌شود و تغییر معماری را می‌توانیم یک تاک بنامیم. هسته پردازندههای ایوی‌بریج اکنون در مرحله تیک قرار دارند ولی هسته گرافیکی این پردازنده‌ها مرحله تاک را می‌گذارند و می‌توان انتظار داشت ساختار آن تغییر پیدا کند. در پردازندههای سری وست‌مر برای پردازنده و هسته گرافیکی از دو فناوری‌ساخت متفاوت استفاده شد، به طوری که هسته پردازشی فناوری ۳۲ نانومتر داشت و هسته گرافیکی از فناوری ۴۵ نانومتر استفاده می‌کرد. در پردازندههای سندی‌بریج این دو فناوری یکپارچه شدند و هر دو بخش دارای فناوری‌ساخت ۳۲ نانومتر بودند. در ایوی‌بریج نیز از همین روش استفاده شده است، ضمن اینکه تعداد واحدهای عملیاتی به ۱۶ عدد افزایش پیدا کرده که این تعداد در سندی‌بریج‌ها ۱۲ عدد بود. در نسل قبلی دو نوع مشخصات برای بخش گرافیکی استفاده می‌شد که GT1 و GT2 نام داشتند. در GT1 تعداد شش واحد عملیاتی متشکل از هسته پردازشی، واحد سایه‌زنی و واحد اجرایی وجود داشت که در GT2 این تعداد به ۱۲ عدد می‌رسید. در پردازندههای ایوی‌بریج این تعداد ۱۶ عدد است ضمن اینکه دو واحد پردازش بافتی نیز در کنار آن دیده می‌شود. البته این مشخصات مربوط به GT2 است و مشخصات GT1 هنوز اعلام نشده است که به نظر می‌رسد شامل هشت واحد یا کمتر باشد.
اینتل مدعی است این روش کارایی پردازش سه‌بعدی را به طور قابل توجهی افزایش داده است ضمن اینکه این هسته‌ها از این پس با دایرکت‌ایکس نسخه یازدهم سازگار خواهند بود. از دیگر رابط‌های قابل پشتیبانی توسط بخش گرافیکی ایوی‌بریج می‌توان به OpenCL 1.1 و OpenGL 3.1 نیز اشاره کرد. توسعه بخش گرافیکی شامل خروجی‌های تصویری هم می‌شود و این پردازنده‌ها می‌توانند تا سه خروجی را تامین کنند که این مقدار در سندی‌بریج دو عدد بود.
فناوری هایپرتریدینگ نیز در این پردازنده‌ها بهبود پیدا کرده و با اینکه از همان ساختار قبلی استفاده می‌کند اما توان عملیاتی برای اجرای یک رشته پردازشی در ایوی‌بریج بهتر شده است. به عنوان مثال در پردازندههای سندی‌بریج بسیاری از ساختارهای درون پردازنده که برای فناوری هایپرتریدینگ طراحی شده بودند، در قالب پارتیشن‌های مستقل درونی عمل می‌کردند و هر کدام از آنها برای اجرای دستورالعمل‌ها ظرفیت مشخصی داشتند. زمانی که فرضا یک دستورالعمل با ۲۰ رشته پردازشی به پردازنده ارسال می‌شد، این دستور در قالب دو دستور با ۱۰ رشته مورد پردازش قرار می‌گرفت و این عامل باعث می‌شد باقی ظرفیت هسته‌های منطقی خالی بماند که این مساله هنگام افزایش بار پردازشی حساسیت بیشتری ایجاد می‌کرد. در ایوی‌بریج این بافرها ارتقا پیدا کرده‌اند و از توان غیرفعال هسته‌های منطقی بهتر استفاده می‌شود. علاوه بر این تقسیم‌کننده دستورالعمل‌ها نیز نسبت به سندی‌بریج تا دوبرابر توان عملیاتی بیشتری دارد.
از دیگر بخش‌های قابل توجه در پردازندههای ایوی‌بریج توانایی امنیتی آنهاست که این ویژگی را می‌توان مدیون خرید شرکت مک‌آفی توسط اینتل دانست. راه حل‌های امنیتی در ایوی‌بریج شیوه تازه‌ای را در حفظ امنیت داده‌ها در سطح سخت‌افزار معرفی کردند که از این به بعد بیشتر شاهد حضور آن در محصولات مختلف خواهیم بود. یکی از این راه حل‌ها SMEP نام دارد که از اجرای برنامه‌های مخرب در سطوح دسترسی پایین جلوگیری می‌کند.
اینتل در پردازندههای سندی‌بریج سه سطح ولتاژ را معرفی کرد که شامل LFM، نرمال و توربو هستند. ولتاژ FLM به کمترین ولتاژ ممکن برای اجرای پردازنده اشاره می‌کند، به طوری که در سطوح پایین‌تر توان اجرای پردازنده متوقف خواهد شد. ولتاژ نرمال نیز انرژی لازم برای کار در شرایط عادی را نشان می‌دهد که این مقدار در حالت توربو که فرکانس هسته‌ها افزایش پیدا کرده‌اند بیشتر خواهد شد.
ترانزیستورهای سه‌بعدی
ترانزیستور قطعه‌ای است که برای تقویت و سوییچ جریان الکتریکی مورد استفاده قرار می‌گیرد و در نمونه‌های رایج دارای سه پایه است. جریان الکتریکی از طریق یکی از پایه‌ها وارد ترانزیستور می‌شود و سپس با سوییچ بین دو یا چند پایه دیگر، این جریان از ترانزیستور خارج خواهد شد ضمن اینکه این جریان هنگام خروج تقویت می‌شود و این دو ویژگی از مهم‌ترین دلایل تفاوت ترانزیستورها هستند. البته این تعریف را می‌توان برای درک عملکرد کلی ترانزیستورها استفاده کرد و آنچه در وسایل دیجیتال مورد استفاده قرار می‌گیرد اندکی با این مفهوم تفاوت دارد. امروزه در اغلب تجهیزات دیجیتالی، ترانزیستورها از طریق میدان القایی به تقویت جریان الکتریکی و ایجاد سیگنال کمک می‌کنند.
اینتل در فناوری جدید خود نسل نوینی از ترانزیستورها را معرفی کرده است که با عبارت سه‌بعدی شناخته می‌شوند زیرا می‌توانند در سه جهت فعالیت کنند. به دلیل استفاده از این شیوه به آنها tri-gate هم گفته می‌شود زیرا جریان الکتریکی از طریق سه مدخل وارد این ترانزیستورها خواهد شد. در این ترانزیستورها علاوه بر یک سطح افقی، دو سطح عمودی نیز در کنار آن دیده می‌شوند و سه سطح برای عبور الکترون‌ها ایجاد شده است که این شیوه باعث افزایش کارایی تا ۳۷ درصد می‌شود و در مقابل ۵۰ درصد انرژی کمتری برای دستیابی به کارایی مشابه در نسل قبلی نیاز است. اینتل دلیل این موضوع را افزایش القا و کاهش نشت الکترونی عنوان کرده است. این روش با اینکه چندان پیچیده به نظر نمی‌رسد اما عملکرد قابل توجهی دارد. ترانزیستورها در دو حالت روشن و خاموش فعالیت می‌کنند و با افزایش مدخل‌ها در حالت خاموش ممکن است تحت تاثیر میدان القایی ایجادشده از جریان الکتریکی، موقعیت ترانزیستور صفر نشود اما آنچه در عمل دیده می‌شود قطع کامل توان در حالت خاموش ترانزیستور است که این موضوع در کاهش مصرف توان نیز موثر خواهد بود. در مقابل امکان سوییچ سریع بین این دو وضعیت فراهم شده است و تراشه‌هایی که با استفاده از این شیوه ساخته می‌شوند عملکرد بهتری خواهند داشت.
1519
یک ترانزیستور ۲۲ نانومتری می‌تواند در مدت یک ثانیه ۱۰۰ میلیارد بار تغییر وضعیت دهد و جالب است بدانید اگر قرار بود یک کلید چراغ را با همین تعداد دفعات، خاموش و روشن کنید حدود دو هزار سال زمان نیاز داشتید. نکته دیگر اینکه کارخانجات اینتل در هر ثانیه پنج میلیارد ترانزیستور تولید می‌کنند و تولیدات آن در یک سال به ۱۵۰ هزار تریلیارد (۱۵۰×۱۰۱۵ ) ترانزیستور می‌رسد. یکی دیگر از شگفتی‌های این ترانزیستورها نیز به ابعاد آنها مربوط می‌شود. به عنوان مثال اندازه نقطه‌ای که در انتهای این جمله قرار گرفته برابر با فضای لازم برای شش میلیون ترانزیستور است.
اینتل اعلام کرده است کلیه محصولات خود را در آینده با استفاده از این شیوه تولید خواهد کرد. جالب است بدانید ترانزیستورهای tri-gate سال‌ها پیش از سوی رقیب اینتل مورد توجه قرار گرفته بودند و در سال ۲۰۰۳ شرکت AMD اعلام کرده بود برای افزایش راندمان ترانزیستورها و کاهش نشت الکترونی از ترانزیستورهایی با سه دروازه استفاده خواهد کرد، با این حال بعد از آن AMD هیچ‌گاه به این شیوه اشاره نکرد و تنها در حد یک خبر باقی ماند. در اردیبهشت امسال اینتل خبر پردازندههای ایوی‌بریج را منتشر کرد که از این روش استفاده می‌کنند. البته این شرکت زمان طراحی این ترانزیستورها را سال ۲۰۰۲ اعلام کرد که تاکنون به مرحله اجرا نرسیده بود و اولین محصولات آن ۱۰ سال پس از بررسی آزمایشگاهی در سال ۲۰۱۲ وارد بازار خواهند شد.
اهمیت دستیابی به این فناوری جدید بسیار زیاد است، به طوری که از این پس پیش‌بینی می‌شود تمام تجهیزاتی که در آنها تراشههای دیجیتالی به کار رفته‌اند از ترانزیستورهای سه‌بعدی استفاده کنند. این محصولات تنها شامل پردازنده‌ها نمی‌شوند و می‌توان گستره وسیعی از تلفن‌های همراه تا تلویزیون‌ها را در این دسته قرار داد. سال‌ها پیش زمانی که اولین رایانه تولید شد در آن از ترانزیستورهای لامپی استفاده شده بود و مساحتی معادل یک زمین فوتبال داشت.
مادربوردها و تراشههای جدید
پردازندههای جدید ایوی‌بریج با سوکت LGA 1155 سازگار هستند، با این حال اینتل اعلام کرده است تراشه جدیدی برای مادربوردها معرفی می‌کند که پشتیبانی لازم را از این پردازنده‌ها داشته باشند. این تراشه‌ها دارای برخی مشخصات جدید خواهند بود به عنوان مثال به طور پیش‌فرض از نسل سوم USB پشتیبانی می‌کنند و می‌توانند نسل سوم PCI Express را فعال کنند
1520
اینتل برای پردازندههای ایوی‌بریج سه تراشه جدید معرفی خواهد کرد که از سوکت ۱۱۵۵ پشتیبانی می‌کنند. تراشههای سری هفت در مدل‌های Z77 Z75 وH77 منتشر خواهد شد و سه تراشه قبلی اینتل به نام‌های P67، H67 و Z68 نیز پس از به‌روزرسانی بایوس از این پردازنده‌ها پشتیبانی خواهند کرد. این مادربوردها می‌توانند از نسل سوم PCIe پشتیبانی کنند، با این حال اینتل هنوز اعلام نظر صریحی در این مورد نداشته است، به همین دلیل فعلا می‌توان گفت تا زمانی که مادربوردهای تاییدشده از سری ششم با پردازندههای ایوی‌بریج همراه نشوند صحت این موضوع قابل تایید نیست و تنها می‌توان مادربوردهای مجهز تراشههای نسل هفتم را با PCIe 3.0 سازگار دانست. مادربوردهایی که توانایی اورکلاکینگ دارند با حرف Z مشخص خواهند شد و تمام تراشههای جدید نسل هفتم دارای خروجی تصویری خواهند بود که از هسته گرافیکی پردازندههای ایوی‌بریج استفاده می‌کند.
بابک نقاش
اینتل از پنج سال پیش برای انتشار پردازنده‌ها از برنامه زمان‌بندی مشخصی پیروی می‌کند که به فناوری ساخت و معماری این محصولات وابسته است. اینتل این برنامه را با تیک‌تاک ساعت معرفی کرده است و بر اساس آن زمانی که به یک فناوری‌ساخت جدید دست پیدا می‌کند آن را با تیک نشان می‌دهد و زمانی که معماری پردازنده‌ها را در این فناوری ساخت ارتقا می‌دهد از عبارت تاک استفاده می‌کند. به عنوان مثال در فناوری ۴۵ نانومتری، مرحله تیک با ورود پردازندههای پنرین (Penryn) همراه بود و پس از آن نیز مرحله تاک با عرضه معماری نیهالم انجام شد. این فرآیند در فناوری ساخت ۳۲ نانومتر نیز ادامه پیدا کرد و در تیک اینتل، پردازندههای نیهالم با فناوری ساخت ۳۲ نانومتری تولید شدند که وست‌مر (Westmere) نام داشتند و در مرحله بعدی نیز نوبت به معماری سندی‌بریج رسید که بر اساس همان فناوری‌ساخت وارد بازار شد. حالا اینتل دوباره مرحله تیک را آغاز کرده است و در این مرحله توانسته از تکنولوژی ۲۲ نانومتر برای تولید دوباره معماری سندی‌بریج استفاده کند که پیش از این با تکنولوژی ۲۲ نانومتری تولید می‌شد. این نسل جدید با نام ایوی‌بریج (Ivy Bridge) معرفی شده است و مانند گذشته، شامل محصولاتی برای رده دسکتاپ و لپ‌تاپ‌هاست. ضمن اینکه کاهش فناوری‌ساخت این امکان را فراهم می‌کند که میزان مصرف انرژی و حرارت تولیدی کاهش پیدا کند و در مقابل بتوان محصولاتی کوچک‌تر و سبک‌تر تولید کرد.مهم‌ترین تغییر در پردازنده‌هایی که با نام ایوی‌بریج تولید خواهند شد به ترانزیستورهای این محصولات مربوط می‌شود. درون پردازنده‌ها صدها میلیون ترانزیستور وجود دارد و این قطعات بسیار کوچک هستند که عملیات پردازش را انجام می‌دهند. اندازه این ترانزیستورها به قدری کوچک است که برای مشاهده آنها از میکروسکوپ‌های الکترونی استفاده می‌شود و نمی‌توان آنها را با آنچه در بوردهای الکترونیکی می‌بینیم مقایسه کنیم. این ترانزیستورها به وسیله لایه‌هایی از سیلیکون و فلزهای رسانا تولید می‌شوند و از نظر ابعاد می‌توان آنها را با سلول‌های خونی مقایسه کرد.قانون موریکی از بنیانگذاران شرکت اینتل سال‌ها پیش تئوری مور را معرفی کرد که بر اساس آن تعداد ترانزیستورهایی که درون یک تراشه قرار می‌گیرد هر دو سال یک بار، دوبرابر می‌شود. گوردون مور (Gordon E. Moore) ا۴۶سال پیش این تئوری را پیشنهاد داد که بعدها با عملکرد صنایع سخت‌افزاری و با تایید موسسه تحقیقات فناوری کالیفرنیا به عنوان یک قانون پذیرفته شد. او در این تئوری به شیوه طراحی مدارها اشاره کرده است که حدودا هر دو سال یک بار با ابداع شیوه‌های جدید می‌توانند از طریق روش‌های اقتصادی، تعداد ترانزیستورهای قرارگرفته در یک مساحت ثابت را به دوبرابر افزایش دهند. این تئوری به مدت نیم قرن در تولید تراشه‌ها مشاهده شد، با این حال اعلام شده است قانون مور تا چند سال آینده ادامه خواهد داشت و پس از آن مسیر فناوری به شکلی دیگر تغییر خواهد کرد. مور در این قانون به توان پردازش یا جزییاتی همچون شدت جریان‌های الکترونیکی نپرداخته اما در سمیناری که تحت عنوان چشم‌انداز فناوری‌های نیمه‌هادی مدتی پیش برگزار شد این قانون تا سال ۲۰۱۳ دوام خواهد داشت و پس از آن مدت‌زمان لازم برای دوبرابر شدن ترانزیستورها به سه سال می‌رسد.
1516
این قانون شاید فقط یک نظریه ساده در مورد پیشرفت فناوری‌های الکترونیکی باشد اما اهمیت قانون مور در این است که توان بسیاری از تجهیزات دیجیتال را مشخص می‌کند. برای درک بهتر قانون مور می‌توان گفت ترانزیستورها بخش عظیمی از زندگی دیجیتالی ما را تشکیل می‌دهند. به عنوان مثال توان پردازش، ظرفیت حافظه و حتی تعداد پیکسل‌هایی که در گیرنده‌های نوری دوربین‌ها قابل تشخیص است به عملکرد ترانزیستورها ارتباط دارد و این موضوع تنها یک سوی قانون مور را نشان می‌دهد. در سمت دیگر صنایع تولیدکننده قرار دارند که برای پیشرفت در دنیای مدرن، قانون مور را به عنوان یک اصل کلی در طراحی تولیدات خود در نظر می‌گیرند و زمانی که به تولید یک فناوری جدید می‌پردازند، این قانون را برای تضمین موفقیت خود الگو قرار می‌دهند. گوردون مور در مقاله‌ای که در سال ۱۹۶۵ منتشر کرد به صراحت روی این موضوع تاکید دارد که افزایش ترانزیستورها باید توجیه اقتصادی برای تولید انبوه داشته باشد، در نتیجه روش‌های آزمایشگاهی و ابداعاتی که به صورت تئوری در این زمینه انجام می‌شوند تا زمانی که هزینه تولید یک ترانزیستور را به حداقل مقدار ممکن کاهش ندهند شامل قانون مور نخواهند شد. با این تفسیر می‌توان این گزینه را هم عنوان کرد که دستاوردهای بشری در زمینه پردازش دیجیتال فراتر از سطح محصولات امروزی است اما این نوآوری‌ها تا زمانی که نتوانند جریان بازار را با خود همگام کنند شانسی برای موفقیت نخواهند داشت.
جالب است بدانید بعد از انتشار نظریه مور، تئوری‌های دیگری نیز در این زمینه منتشر شد که نظریه مارک کرایدر در زمینه ظرفیت هارددیسک‌ها و نظریه جرالد باتر برای شبکه‌های نوری از همین موارد است. کرایدر عنوان می‌کند ظرفیت هارددیسک‌ها هر سال دوبرابر می‌شود و نظریه باتر نیز به دوبرابر شدن سرعت انتقال داده‌ها در فیبر نوری در فاصله زمانی ۹ ماه اشاره می‌کند. علاوه بر این بری‌هندی از شرکت کداک نیز نظریه مشابهی در مورد تناسب قیمت یک پیکسل با دلار دارد که علاوه بر دوربین‌ها شامل نمایشگرها نیز می‌شود.
فناوری‌ساخت ۲۲ نانومتر
تراشههای نیمه‌رسانا یا نیمه‌هادی که در قلب تمام تجهیزات دیجیتالی قرار دارند از طریق صفحه‌های سیلیکونی تولید می‌شوند که به آنها ویفر گفته می‌شود. ویفرها شکل دایره‌ای دارند و تراشه‌ها به صورت به هم پیوسته روی این ویفرها قرار گرفته‌اند. قطر هر ویفر حدود ۳۰ سانتی‌متر است و با توجه به اندازه هر تراشه می‌توان گفت روی یک ویفر ممکن است صدها تا هزاران تراشه قرار داشته باشند که بعدا از یکدیگر جدا شده و هر کدام درون وسیله مورد نظر استفاده خواهند شد. اندازه ویفرهای سیلیکونی ثابت است ولی برای تولید یک تراشه فناوری‌های مختلفی برای ساخت استفاده می‌شوند. پردازندههای سندی‌بریج از فناوری ساخت ۳۲ نانومتری استفاده می‌کردند و کوچک‌ترین بخش روی هر تراشه در هر ویفر ۳۲ نانومتر اندازه دارد. اگر بتوان این واحدها را در ابعادی کوچک‌تر با همان کارایی تولید کرد به این معنی است که روی یک ویفر تعداد تراشههای بیشتری قرار می‌گیرد. ضمن اینکه کاهش فاصله بین این واحدها، در کاهش مصرف توان و حرارت نیز موثر خواهد بود با این حال توانایی تولید در این ابعاد مهم‌ترین محدودیت پیش روی تولیدکننده‌های تراشه است. اینتل اکنون به فناوری ساخت ۲۲ نانومتر دست پیدا کرده و تراشه‌هایی که در پردازندههای ایوی‌بریج استفاده می‌شوند از این فناوری استفاده خواهند کرد. این موضوع تحت تاثیر قانون مور انجام گرفته است و به این ترتیب اگر ترانزیستورها را کوچک‌ترین واحدهای عملیاتی در تراشه بدانیم می‌توان گفت نسبت به دو سال پیش تعداد ترانزیستورهای موجود در یک تراشه تقریبا دوبرابر شده‌اند زیرا علاوه بر اینکه اندازه کوچک‌تری دارند، فاصله بین آنها نیز کمتر می‌شود و دارای سه مدخل برای عبور جریان هستند. جالب است بدانید در پردازندههای سندی‌بریج یا در پردازندههای لانو که توسط AMD تولید می‌شوند میلیاردها ترانزیستور به کار رفته است و این در حالی است که توان پردازش تراشه ۴۰۴۰ اینتل در سال ۱۹۷۱ چهار هزار برابر کمتر از پردازندههای ایوی‌بریج بوده است و پنج هزار برابر انرژی بیشتری مصرف می‌کرده‌اند.
در سال ۲۰۰۷ زمانی که اینتل فناوری ساخت تراشههای خود را به ۴۵ نانومتر کاهش داد اکسیدهای سیلیکونی دیگر کارایی نداشتند و این شرکت از برخی عایق‌های ضخیم‌تر که شارژ بهتری را نگه می‌داشتند، استفاده کرد. اینتل نام این فناوری را high-k/metal-gate گذاشت و در آن از مواد جدیدی مانند هافنیوم استفاده کرد که عنصر ۷۲ جدول تناوبی است و در رده فلزات واسطه قرار می‌گیرد.
ایوی‌بریج
معماری ایوی‌بریج، نسل آینده پردازندههای اینتل را تشکیل می‌دهد که از فناوری ۲۲ نانومتری در آنها استفاده شده است و مجهز به ترانزیستورهای سه‌بعدی هستند. نخستین نمونه از این پردازنده‌ها برای تجهیزات موبایل تولید خواهد شد و اولترابوک‌ها اولین میزان ایوی‌بریج هستند. پردازندههای دسکتاپ در مرحله بعد قرار دارند که احتمالا معرفی آنها به اواخر فصل بهار موکول خواهد شد. در نگاهی کلی به ساختار این پردازنده‌ها شباهت زیادی با مدل‌های سندی‌بریج دیده می‌شود و اگرچه فناوری‌ساخت تفاوت کرده است اما معماری کلی این تراشه‌ها مانند نسل قبلی است. در این مدل‌ها یک هسته گرافیکی نیز روی سطح پردازنده قرار دارد که آن هم با فناوری ۲۲ نانومتری تولید می‌شود اما اولین عامل که تفاوت بین ایوی‌بریج و سندی‌بریج را آشکار می‌کند در تعداد ترانزیستورها مشاهده می‌شود. پردازندههای سری جدید دارای ۱.۴ میلیارد ترانزیستور هستند و این در حالی است که در پردازندههای ۳۲ نانومتری سندی‌بریج ۱.۱۶ میلیارد ترانزیستور به کار رفته بود. بنابراین ۲۰.۷ درصد افزایش در این قسمت مشاهده می‌شود و در مقابل اگر همان تعداد ترانزیستور سندی‌بریج به جای فناوری ۳۲ نانومتر با روش ۲۲ نانومتری تولید شوند حدود ۴۷.۳ درصد سایز اولیه وسعت خواهند داشت. نتیجه اینکه با وجود افزایش ۲۰ درصدی در تعداد ترانزیستورها، سطح تراشه باز هم کوچک‌تر خواهد شد
1517
بخش حافظه درونی پردازندههای ایوی‌بریج تفاوت زیادی با مدل‌های سندی‌بریج ندارد و همان ساختار در این سری نیز دیده می‌شود. لایه سوم کش که بین هسته‌ها، بخش گرافیکی و کنترلر حافظه مشترک است و حجم آن نیز در همان سطح هشت مگابایت تعریف شده است. کنترلر حافظه نیز از دیگر قسمت‌های بدون تغییر در ایوی‌بریج است. این بخش از حافظه‌های DDR3 و حافظه DDR3L پشتیبانی می‌کند که با ولتاژ ۱.۳۵ ولت اجرا می‌شوند، حرف L در انتهای نام این رم‌ها نشان‌دهنده عبارت Low Voltage است. با این حال توان اورکلاک در این قسمت افزایش قابل توجهی داشته است. در نسل قبلی میزان فرکانس رم‌ها تا ۲۱۳۳ مگاهرتز قابل افزایش بود که این مقدار در پردازندههای ایوی به ۲۸۰۰ مگاهرتز رسیده است.
1518
در ابتدای مطلب شیوه زمان‌بندی تیک‌تاک اینتل مطرح شد و اینکه تغییر فناوری‌ساخت برای پردازنده‌ها یک تیک محسوب می‌شود و تغییر معماری را می‌توانیم یک تاک بنامیم. هسته پردازندههای ایوی‌بریج اکنون در مرحله تیک قرار دارند ولی هسته گرافیکی این پردازنده‌ها مرحله تاک را می‌گذارند و می‌توان انتظار داشت ساختار آن تغییر پیدا کند. در پردازندههای سری وست‌مر برای پردازنده و هسته گرافیکی از دو فناوری‌ساخت متفاوت استفاده شد، به طوری که هسته پردازشی فناوری ۳۲ نانومتر داشت و هسته گرافیکی از فناوری ۴۵ نانومتر استفاده می‌کرد. در پردازندههای سندی‌بریج این دو فناوری یکپارچه شدند و هر دو بخش دارای فناوری‌ساخت ۳۲ نانومتر بودند. در ایوی‌بریج نیز از همین روش استفاده شده است، ضمن اینکه تعداد واحدهای عملیاتی به ۱۶ عدد افزایش پیدا کرده که این تعداد در سندی‌بریج‌ها ۱۲ عدد بود. در نسل قبلی دو نوع مشخصات برای بخش گرافیکی استفاده می‌شد که GT1 و GT2 نام داشتند. در GT1 تعداد شش واحد عملیاتی متشکل از هسته پردازشی، واحد سایه‌زنی و واحد اجرایی وجود داشت که در GT2 این تعداد به ۱۲ عدد می‌رسید. در پردازندههای ایوی‌بریج این تعداد ۱۶ عدد است ضمن اینکه دو واحد پردازش بافتی نیز در کنار آن دیده می‌شود. البته این مشخصات مربوط به GT2 است و مشخصات GT1 هنوز اعلام نشده است که به نظر می‌رسد شامل هشت واحد یا کمتر باشد.
اینتل مدعی است این روش کارایی پردازش سه‌بعدی را به طور قابل توجهی افزایش داده است ضمن اینکه این هسته‌ها از این پس با دایرکت‌ایکس نسخه یازدهم سازگار خواهند بود. از دیگر رابط‌های قابل پشتیبانی توسط بخش گرافیکی ایوی‌بریج می‌توان به OpenCL 1.1 و OpenGL 3.1 نیز اشاره کرد. توسعه بخش گرافیکی شامل خروجی‌های تصویری هم می‌شود و این پردازنده‌ها می‌توانند تا سه خروجی را تامین کنند که این مقدار در سندی‌بریج دو عدد بود.
فناوری هایپرتریدینگ نیز در این پردازنده‌ها بهبود پیدا کرده و با اینکه از همان ساختار قبلی استفاده می‌کند اما توان عملیاتی برای اجرای یک رشته پردازشی در ایوی‌بریج بهتر شده است. به عنوان مثال در پردازندههای سندی‌بریج بسیاری از ساختارهای درون پردازنده که برای فناوری هایپرتریدینگ طراحی شده بودند، در قالب پارتیشن‌های مستقل درونی عمل می‌کردند و هر کدام از آنها برای اجرای دستورالعمل‌ها ظرفیت مشخصی داشتند. زمانی که فرضا یک دستورالعمل با ۲۰ رشته پردازشی به پردازنده ارسال می‌شد، این دستور در قالب دو دستور با ۱۰ رشته مورد پردازش قرار می‌گرفت و این عامل باعث می‌شد باقی ظرفیت هسته‌های منطقی خالی بماند که این مساله هنگام افزایش بار پردازشی حساسیت بیشتری ایجاد می‌کرد. در ایوی‌بریج این بافرها ارتقا پیدا کرده‌اند و از توان غیرفعال هسته‌های منطقی بهتر استفاده می‌شود. علاوه بر این تقسیم‌کننده دستورالعمل‌ها نیز نسبت به سندی‌بریج تا دوبرابر توان عملیاتی بیشتری دارد.
از دیگر بخش‌های قابل توجه در پردازندههای ایوی‌بریج توانایی امنیتی آنهاست که این ویژگی را می‌توان مدیون خرید شرکت مک‌آفی توسط اینتل دانست. راه حل‌های امنیتی در ایوی‌بریج شیوه تازه‌ای را در حفظ امنیت داده‌ها در سطح سخت‌افزار معرفی کردند که از این به بعد بیشتر شاهد حضور آن در محصولات مختلف خواهیم بود. یکی از این راه حل‌ها SMEP نام دارد که از اجرای برنامه‌های مخرب در سطوح دسترسی پایین جلوگیری می‌کند.
اینتل در پردازندههای سندی‌بریج سه سطح ولتاژ را معرفی کرد که شامل LFM، نرمال و توربو هستند. ولتاژ FLM به کمترین ولتاژ ممکن برای اجرای پردازنده اشاره می‌کند، به طوری که در سطوح پایین‌تر توان اجرای پردازنده متوقف خواهد شد. ولتاژ نرمال نیز انرژی لازم برای کار در شرایط عادی را نشان می‌دهد که این مقدار در حالت توربو که فرکانس هسته‌ها افزایش پیدا کرده‌اند بیشتر خواهد شد.
ترانزیستورهای سه‌بعدی
ترانزیستور قطعه‌ای است که برای تقویت و سوییچ جریان الکتریکی مورد استفاده قرار می‌گیرد و در نمونه‌های رایج دارای سه پایه است. جریان الکتریکی از طریق یکی از پایه‌ها وارد ترانزیستور می‌شود و سپس با سوییچ بین دو یا چند پایه دیگر، این جریان از ترانزیستور خارج خواهد شد ضمن اینکه این جریان هنگام خروج تقویت می‌شود و این دو ویژگی از مهم‌ترین دلایل تفاوت ترانزیستورها هستند. البته این تعریف را می‌توان برای درک عملکرد کلی ترانزیستورها استفاده کرد و آنچه در وسایل دیجیتال مورد استفاده قرار می‌گیرد اندکی با این مفهوم تفاوت دارد. امروزه در اغلب تجهیزات دیجیتالی، ترانزیستورها از طریق میدان القایی به تقویت جریان الکتریکی و ایجاد سیگنال کمک می‌کنند.
اینتل در فناوری جدید خود نسل نوینی از ترانزیستورها را معرفی کرده است که با عبارت سه‌بعدی شناخته می‌شوند زیرا می‌توانند در سه جهت فعالیت کنند. به دلیل استفاده از این شیوه به آنها tri-gate هم گفته می‌شود زیرا جریان الکتریکی از طریق سه مدخل وارد این ترانزیستورها خواهد شد. در این ترانزیستورها علاوه بر یک سطح افقی، دو سطح عمودی نیز در کنار آن دیده می‌شوند و سه سطح برای عبور الکترون‌ها ایجاد شده است که این شیوه باعث افزایش کارایی تا ۳۷ درصد می‌شود و در مقابل ۵۰ درصد انرژی کمتری برای دستیابی به کارایی مشابه در نسل قبلی نیاز است. اینتل دلیل این موضوع را افزایش القا و کاهش نشت الکترونی عنوان کرده است. این روش با اینکه چندان پیچیده به نظر نمی‌رسد اما عملکرد قابل توجهی دارد. ترانزیستورها در دو حالت روشن و خاموش فعالیت می‌کنند و با افزایش مدخل‌ها در حالت خاموش ممکن است تحت تاثیر میدان القایی ایجادشده از جریان الکتریکی، موقعیت ترانزیستور صفر نشود اما آنچه در عمل دیده می‌شود قطع کامل توان در حالت خاموش ترانزیستور است که این موضوع در کاهش مصرف توان نیز موثر خواهد بود. در مقابل امکان سوییچ سریع بین این دو وضعیت فراهم شده است و تراشه‌هایی که با استفاده از این شیوه ساخته می‌شوند عملکرد بهتری خواهند داشت.
1519
یک ترانزیستور ۲۲ نانومتری می‌تواند در مدت یک ثانیه ۱۰۰ میلیارد بار تغییر وضعیت دهد و جالب است بدانید اگر قرار بود یک کلید چراغ را با همین تعداد دفعات، خاموش و روشن کنید حدود دو هزار سال زمان نیاز داشتید. نکته دیگر اینکه کارخانجات اینتل در هر ثانیه پنج میلیارد ترانزیستور تولید می‌کنند و تولیدات آن در یک سال به ۱۵۰ هزار تریلیارد (۱۵۰×۱۰۱۵ ) ترانزیستور می‌رسد. یکی دیگر از شگفتی‌های این ترانزیستورها نیز به ابعاد آنها مربوط می‌شود. به عنوان مثال اندازه نقطه‌ای که در انتهای این جمله قرار گرفته برابر با فضای لازم برای شش میلیون ترانزیستور است.
اینتل اعلام کرده است کلیه محصولات خود را در آینده با استفاده از این شیوه تولید خواهد کرد. جالب است بدانید ترانزیستورهای tri-gate سال‌ها پیش از سوی رقیب اینتل مورد توجه قرار گرفته بودند و در سال ۲۰۰۳ شرکت AMD اعلام کرده بود برای افزایش راندمان ترانزیستورها و کاهش نشت الکترونی از ترانزیستورهایی با سه دروازه استفاده خواهد کرد، با این حال بعد از آن AMD هیچ‌گاه به این شیوه اشاره نکرد و تنها در حد یک خبر باقی ماند. در اردیبهشت امسال اینتل خبر پردازندههای ایوی‌بریج را منتشر کرد که از این روش استفاده می‌کنند. البته این شرکت زمان طراحی این ترانزیستورها را سال ۲۰۰۲ اعلام کرد که تاکنون به مرحله اجرا نرسیده بود و اولین محصولات آن ۱۰ سال پس از بررسی آزمایشگاهی در سال ۲۰۱۲ وارد بازار خواهند شد.
اهمیت دستیابی به این فناوری جدید بسیار زیاد است، به طوری که از این پس پیش‌بینی می‌شود تمام تجهیزاتی که در آنها تراشههای دیجیتالی به کار رفته‌اند از ترانزیستورهای سه‌بعدی استفاده کنند. این محصولات تنها شامل پردازنده‌ها نمی‌شوند و می‌توان گستره وسیعی از تلفن‌های همراه تا تلویزیون‌ها را در این دسته قرار داد. سال‌ها پیش زمانی که اولین رایانه تولید شد در آن از ترانزیستورهای لامپی استفاده شده بود و مساحتی معادل یک زمین فوتبال داشت.
مادربوردها و تراشههای جدید
پردازندههای جدید ایوی‌بریج با سوکت LGA 1155 سازگار هستند، با این حال اینتل اعلام کرده است تراشه جدیدی برای مادربوردها معرفی می‌کند که پشتیبانی لازم را از این پردازنده‌ها داشته باشند. این تراشه‌ها دارای برخی مشخصات جدید خواهند بود به عنوان مثال به طور پیش‌فرض از نسل سوم USB پشتیبانی می‌کنند و می‌توانند نسل سوم PCI Express را فعال کنند
1520
اینتل برای پردازندههای ایوی‌بریج سه تراشه جدید معرفی خواهد کرد که از سوکت ۱۱۵۵ پشتیبانی می‌کنند. تراشههای سری هفت در مدل‌های Z77 Z75 وH77 منتشر خواهد شد و سه تراشه قبلی اینتل به نام‌های P67، H67 و Z68 نیز پس از به‌روزرسانی بایوس از این پردازنده‌ها پشتیبانی خواهند کرد. این مادربوردها می‌توانند از نسل سوم PCIe پشتیبانی کنند، با این حال اینتل هنوز اعلام نظر صریحی در این مورد نداشته است، به همین دلیل فعلا می‌توان گفت تا زمانی که مادربوردهای تاییدشده از سری ششم با پردازندههای ایوی‌بریج همراه نشوند صحت این موضوع قابل تایید نیست و تنها می‌توان مادربوردهای مجهز تراشههای نسل هفتم را با PCIe 3.0 سازگار دانست. مادربوردهایی که توانایی اورکلاکینگ دارند با حرف Z مشخص خواهند شد و تمام تراشههای جدید نسل هفتم دارای خروجی تصویری خواهند بود که از هسته گرافیکی پردازندههای ایوی‌بریج استفاده می‌کند.
بابک نقاش